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J-GLOBAL ID：201702252804427140   整理番号：17A1772421

GeSi/TiO_2多層膜の構造および光感受特性に及ぼす調製条件の影響【Powered by NICT】

Influence of preparation conditions on structure and photosensing properties of GeSi/TiO₂ multilayers

著者 (11件)： Slav A. (National Institute of Materials Physics, 077125 Magurele, Romania) ,  Palade C. (National Institute of Materials Physics, 077125 Magurele, Romania) ,  Stavarache I. (National Institute of Materials Physics, 077125 Magurele, Romania) ,  Teodorescu V. S. (National Institute of Materials Physics, 077125 Magurele, Romania) ,  Ciurea M. L. (National Institute of Materials Physics, 077125 Magurele, Romania) ,  Muller R. (National Institute for Research and Development in Microtechnologies, 077190 Voluntari, Romania) ,  Dinescu A. (National Institute for Research and Development in Microtechnologies, 077190 Voluntari, Romania) ,  Sultan M. T. (Reykjavik University, School of Science and Engineering, IS-101 Reykjavik, Iceland) ,  Manolescu A. (Reykjavik University, School of Science and Engineering, IS-101 Reykjavik, Iceland) ,  Gudmundsson J. T. (Department of Space and Plasma Physics, School of Electrical Engineering, KTH-Royal Institute of Technology, SE-100 44, Stockholm, Sweden Science Institute, University of Iceland, Dunhaga 3, IS-107 Reykjavik, Iceland) ,  Svavarsson H. G. (Reykjavik University, School of Science and Engineering, IS-101 Reykjavik, Iceland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CAS  ページ： 63-66  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる条件下で調製したGeSi/TiO2多層膜の構造に関連した光センシング特性を研究した。TiO_2キャップ/(GeSi/TiO_2)2多層膜(ML)をマグネトロンスパッタリング(MS)により堆積し,急速熱アニーリングによってアニールした。TiO_2キャップ/GeSi/TiO_2(TL)の三層もGeSi層のTiO_2層と直流MSのための反応性高出力インパルスMS(HiPIMS)を用いて蒸着した。TL試料では2段アニーリングを採用した,1つは以前とTiO_2キャップを堆積後第二回。構造と形態学的キャラクタリゼーション(X線回折,走査および透過型電子顕微鏡)を行い,光電流測定(電圧依存性,スペクトル曲線)を行った。アニールしたML試料は5~10nmのサイズをもつGeSi NCの形成され,アニールしたTL試料ではGeSi NCは大きかった(20-30 nm)であった。これらの形態は,ML構造のVIS-NIRとTLでUVにおける多層膜光検出特性を決定であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反応性 ,  直流 ,  キャラクタリゼーション ,  マグネトロンスパッタリング ,  透過型電子顕微鏡 ,  RTA【熱処理】 ,  光検出 ,  X線回折 ,  電流測定 ,  *多層膜 ,  焼なまし ,  電圧依存性 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： HiPIMS ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多層膜 ,  調製