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J-GLOBAL ID：201702252825798728   整理番号：17A0950466

グラフェン-PtSe₂コンタクトの電子特性

Electronic Properties of Graphene-PtSe₂ Contacts

著者 (2件)： SATTAR Shahid (King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU) ,  SCHWINGENSCHLOEGL Udo (King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 18  ページ： 15809-15813  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイドのPtSe₂単分子層及または二分子層の電子デバイスを製造するためには他の材料,例えば,グラフェンとの接触が必要となる。そのためグラフェン-PtSe₂接触の電子特性の把握が重要である。グラフェンとヘテロ構造を形成しているPtSe₂単分子層及び二分子層PtSe₂のバンド構造と仕事関数を第一原理計算により評価し,それらの接触が可能であるかを調べた。その結果,以下のことがわかった。1)ヘテロ構造の各成分のバンド構造は,大部分,各成分単独のバンド構造を保っている。2)ファンデルワールス相互作用が弱いため,コンポーネント間に電荷移動がない。3)それぞれ単分子層及び二分子層のPtSe₂と接触しているグラフェンのバンドの曲がりは負及び正であり,各接触での伝導はそれぞれ電子と正孔を介して生じる。グラフェンは単分子層PtSe₂,及び二分子層PtSe₂とは,それぞれn型及びp型Schottky接触を形成する。二分子層PtSe₂Schottky障壁の高さは非常に低く,0.8%の二軸引張りひずみによってゼロにする(接触をオーミッにする)ことができる。これらの結果はグラフェンがPtSe₂を電子デバイスとして用いる際の理想的な材料であることを示している。

シソーラス用語： 接触 ,  *グラフェン ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *白金化合物 ,  *セレン化物 ,  バンド構造 ,  *ヘテロ接合 ,  仕事関数 ,  van der Waals力 ,  電荷移動 ,  単分子層 ,  二分子層 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： Schottky接触 ,  *遷移金属ジカルコゲナイド ,  ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  ファンデルワールス相互作用 ,  Schottky障壁高さ

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  コンタクト ,  電子