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J-GLOBAL ID:201702252849113529   整理番号:17A0369359

低還元電位を有するねじれペリレンジイミド誘導体の酸化還元機構に基づく高性能ヒドラジン蒸気センサ【Powered by NICT】

High performance hydrazine vapor sensor based on redox mechanism of twisted perylene diimide derivative with lower reduction potential
著者 (7件):
資料名:
巻: 239  ページ: 898-905  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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周囲条件下でのヒドラジン(NH_2NH_2)蒸気の検出のための低還元電位(E_1/2(PDI/PDI ~ )= 0.098VとE_1/2(PDI ~ /PDI~2 )= 0.360V)とペリレンジイミド誘導体に基づく溶液処理法を用いて作製した導電率膜素子を報告した。膜素子はヒドラジン蒸気の下で線形濃度依存特性を有するヒドラジン蒸気に対して高い選択性,再現性と超高速応答を示した。しかし,膜装置であるヒドラジンの高濃度(800ppm),800ppmヒドラジン蒸気に曝露した前後のUV-visスペクトルと組合せたSEM画像によって示した膜形態の変化に起因する下で不安定であった。さらに,センシング性能に及ぼす膜厚,作動電圧,相対湿度と温度の影響についても考察した。さらに,ヒドラジン蒸気に膜デバイスのセンシング機構を,UV-visスペクトル,分光電気化学及びサイクリックボルタンメトリー,d THBPDIの酸化還元はこの感知の過程で重要な役割を果たしていることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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