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J-GLOBAL ID：201702252864463631   整理番号：17A0657885

HfO_2~をベースとした強誘電体キャパシタの磁場サイクリング挙動の背後にある物理的機構【Powered by NICT】

Physical Mechanisms behind the Field-Cycling Behavior of HfO₂-Based Ferroelectric Capacitors

著者 (11件)： Pesic Milan (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Fengler Franz Paul Gustav (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Larcher Luca (DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, Via Amendola 2, 42122, Reggio, Emilia, Italy) ,  Padovani Andrea (DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, Via Amendola 2, 42122, Reggio, Emilia, Italy) ,  Schenk Tony (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Grimley Everett D. (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695-7907, USA) ,  Sang Xiahan (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695-7907, USA) ,  LeBeau James M. (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27695-7907, USA) ,  Slesazeck Stefan (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Schroeder Uwe (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Mikolajick Thomas (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 25  ページ： 4601-4612  発行年： 2016年07月05日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいハフニウム酸化物(HfO_2)ベースの強誘電体は現在不揮発性強誘電体ランダムアクセスメモリ(FeRAM)で使用されているペロブスカイト強誘電体と比較して完全なスケーラビリティと相補型金属酸化物半導体集積を明らかにした。素子の寿命内で,覚醒と疲れの二つの主要領域を同定することができる。現在まで,これらの二素子段階の背後にあるメカニズムは明らかにされていない。このように,本研究の主な目的は,ウェークアップ相中の残留分極の増加と更なるサイクル数の増加と共にそれに続く分極劣化の根本原因の同定である。包括的強誘電スイッチング電流実験Preisach密度分析,及び透過型電子顕微鏡(TEM)研究を組合せコンパクト技術コンピュータ支援設計(TCAD)モデリングにより,装置の起動中の新しい欠陥が発生しないが,既存の欠陥はデバイス内で再分布することが明らかになった。さらに,空格子点拡散が相変態と残留分極の増加の主な原因として同定されている。劣化のモデリングと共にデバイスのサイクルと欠陥発展を調べるためのトラップ密度分光法を利用した強誘電応答の変化の背後にある主要な機構の理解をもたらした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  電流 ,  FeRAM ,  CAD【計算機】 ,  残留分極 ,  *強誘電体 ,  金属酸化物 ,  *磁場 ,  モデリング ,  分極 ,  非揮発性 ,  半導体 ,  ハフニウム
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  強誘電スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： FeCAP ,  強誘電H fO2 ,  モデリング ,  相変化

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体キャパシタ ,  磁場 ,  サイクリング ,  挙動 ,  物理