文献

J-GLOBAL ID：201702252918665427   整理番号：17A0730831

時間領域テラヘルツ法を利用した超高電場におけるGAAS内バンドギャップ結合現象の研究【JST・京大機械翻訳】

Strong Band Mixing in Bulk GaAs under High Electric Field Investigated by Time-Domain Terahertz Spectroscopy

著者 (4件)： Zhu Yiming (College of Optics and Electron Information Engineering, University of Shanghai for Science and Technology) ,  Zhang Dawei (College of Optics and Electron Information Engineering, University of Shanghai for Science and Technology) ,  He Boyong (School of Microelectronics, Shanghai Jiaotong University) ,  Zhuang Songlin (College of Optics and Electron Information Engineering, University of Shanghai for Science and Technology)
資料名： Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)
巻： 36  号： 2  ページ： 328-332  発行年： 2009年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 時間領域テラヘルツスペクトルシステムを利用して、超高電場におけるGAAS中の非平衡キャリアの動的運動過程を研究した。電界が50KV/CM未満であるとき,電子運動によって放射されるテラヘルツ波信号の最初のピークΔE_(THZ)は,電場の増加とともに増加することが分かった。電界が50KV/CM以上のとき,ΔE_(THZ)は電場の増加とともに減衰し,最終的に飽和に達した。この実験結果は,電界強度が50KV/CM以上の場合には,電場の増加とともに,GAASの電子加速効果が著しく増加し(300KV/CMの場合には電子の有効質量は約30倍になる)ことを示した。これらの結果は,超高電場の場合にはGAAS中のバンドギャップが強く混合することに起因すると考えられる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ギャップ結合 ,  *テラヘルツ波 ,  非平衡状態 ,  有効質量 ,  *電場 ,  *バンドギャップ ,  電界強度
準シソーラス用語： 電子加速 ,  *高電場 ,  *時間領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： measurement ,  femtosecond electron acceleration ,  nonequilibrium carriers ,  time-domain terahertz spectroscopy

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 時間領域 ,  テラヘルツ ,  高電場 ,  GaAs ,  バンドギャップ ,  現象 ,  研究