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J-GLOBAL ID：201702252946573778   整理番号：17A1640754

フルバンドモンテカルロシミュレーションによるRF応用のためのGaN HETsの運動量空間エンジニアリング【Powered by NICT】

Momentum Space Engineering of GaN HETs for RF Applications Through Full-Band Monte Carlo Simulations

著者 (4件)： Soligo Riccardo (Global Cummunication Semiconductor, Torrance, CA, USA) ,  Sabatti Flavio (Department of Electrical Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Chowdhury Srabanti (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Davis, Davis, CA, USA) ,  Saraniti Marco (Department of Electrical Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4442-4449  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNホットエレクトロントランジスタ(HET)の性能に及ぼすエミッタ障壁の構造の影響を,フルバンドモンテカルロシミュレーションで得られたベース領域におけるホットエレクトロン動力学の記述で検討した。ベース内のホット電子の運動量分布から,衛星谷におけるキャリアの注入は,電流利得を制限していることが分かった。より短いエミッタ障壁層を持つ新しいレイアウトが,サテライト谷における電子の数を減少させ,3の因子による電流利得の増加を示した。速度とエネルギー電子分布も二装置に対して計算したホットエレクトロンの動力学に及ぼす衛星谷集団の影響を示した。エミッタ障壁を設計するときには,異なるAlGaN合金に基づいて提案し,270GHzまでの遮断周波数を得た。コレクタバリアの設計は,最大出力パワーと素子効率の間のトレードオフを強調した電力性能に関連していることが分かった。本解析は,これらの新しい素子の動作に及ぼす洞察とGaN HETのdcおよびac中小大信号性能を改善するための指針を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ホットエレクトロン ,  運動量分布 ,  電力 ,  合金 ,  衛線 ,  *窒化ガリウム ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 大信号 ,  最大出力 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  電子分布 ,  バリア層 ,  電流利得 ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  *運動量空間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF ,  応用 ,  GaN ,  運動量空間 ,  エンジニアリング