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J-GLOBAL ID：201702253013333596   整理番号：17A1725966

密度汎関数研究によるシリコーンゴムにおける空間電荷解析とトラップ評価【Powered by NICT】

Space charge analysis and trap evaluation in silicone rubber by density functional study

著者 (4件)： Wang Weiwang (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Tanaka Yasuhiro (Measurement and Electric Machine Control Laboratory, Tokyo City University, Tamazutsumi, Setagaya 158-8557, Tokyo, Japan) ,  Takada Tatsuo (Measurement and Electric Machine Control Laboratory, Tokyo City University, Tamazutsumi, Setagaya 158-8557, Tokyo, Japan) ,  Li Shengtao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISEIM  ページ： 176-179  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコーンゴム(未硬化SR)の電子構造と硬化(架橋)SR分子の基本的な特性を示した。局在状態とトラッピングサイトを分子軌道(MO)と状態密度(DOS)により評価した。ビニル基の導入はわずかにエネルギー準位分布を変化させ,電子-局在状態(浅い捕獲サイト)を紹介した。しかし,正孔捕獲サイト(0.5 eV)は芳香族系により生成されることを明確に観測することができた。さらに,いくつかの浅い捕獲サイトもビニルとベンゼン基により形成された交互(0.30.4 eV)である。硬化SR分子鎖は硬化していないものと比較して減少したエネルギーギャップを示した。架橋構造は正孔と電子トラップを導入した。興味深いことに,深い正孔捕獲サイト(1.2 eV)は治癒SR構造であった。これら局在状態または捕獲特性は鎖,化学基,硬化SR構造中の架橋の相互作用に起因している。バージンSR試料の空間電荷捕獲サイト特性,特に正孔深トラップの原因である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *密度汎関数法 ,  *シリコーンゴム ,  *空間電荷 ,  正孔 ,  分子軌道 ,  局在状態 ,  状態密度 ,  相互作用 ,  捕獲 ,  分子鎖 ,  エネルギーギャップ ,  ビニル基 ,  電子構造 ,  芳香族炭化水素
準シソーラス用語： 正孔捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ゴム  (YH07020M)

物質索引 (1件)： ベンゼン

タイトルに関連する用語 (7件)： 密度汎関数 ,  研究 ,  シリコーンゴム ,  空間電荷 ,  解析 ,  トラップ ,  評価