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J-GLOBAL ID:201702253117738337   整理番号:17A1623087

非熱的マイクロ波放射処理によるIII-V化合物の欠陥再構成の機構と可能性【Powered by NICT】

Mechanisms and possibilities of defect reorganization in III-V compounds due to the non-thermal microwave radiation treatment
著者 (3件):
資料名:
巻: 192  ページ: 1295-1299  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaNとGaAsのエピタキシャル膜における欠陥の再組織化と発生の過程に及ぼすマイクロ波照射(2.45GHz)処理の影響を研究した。マイクロ波放射の非熱的作用に起因する観察された変化の物理的理由を解析した。マイクロ波放射線治療後の構造変態の長期過程をモデル化した。著者らの近似は,結晶中の欠陥サブシステムの進化過程はランダム事象であるという仮定に基づいている,ランダム値の分布-ランダム事象前の時間は,Weibull Gnedenko則に支配される。実験データ間の定性的と定量的一致およびマイクロ波処理による長期の構造変化の理論モデルが得られた。これらの結果は,マイクロ波処理後の光ルミネセンススペクトルの非単調挙動を説明するために可能とし,マイクロ波照射の非熱的作用の結果を予測に適用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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無機化合物のルミネセンス  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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