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J-GLOBAL ID：201702253139095017   整理番号：17A1623882

Si(111)上に成長させたエピタキシャルFe_1 xSi_x薄膜に基づいた平面構造を形成するためのアプローチ【Powered by NICT】

Approach to form planar structures based on epitaxial Fe_1-xSi_x films grown on Si(111)

著者 (23件)： Tarasov A.S. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Tarasov A.S. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Lukyanenko A.V. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Lukyanenko A.V. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Tarasov I.A. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Bondarev I.A. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Bondarev I.A. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Smolyarova T.E. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Smolyarova T.E. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Kosyrev N.N. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Komarov V.A. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Komarov V.A. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Yakovlev I.A. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Volochaev M.N. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Volochaev M.N. (Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russia) ,  Solovyov L.A. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia) ,  Shemukhin A.A. (M.V.Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow 119991, Russia) ,  Varnakov S.N. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Ovchinnikov S.G. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Ovchinnikov S.G. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Patrin G.S. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia) ,  Patrin G.S. (Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia) ,  Volkov N.V. (Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 642  ページ： 20-24  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性Fe_1 xSi_x膜に基づく平面構造を形成する手法を提示した。異なるけい素含量(x=0 0.4)をもつエピタキシャルFe_1 xSi_x鉄-けい素合金膜をSi(111)基板上に成長させた。得られた膜の構造in situおよびex situ特性化をX線回折,反射高エネルギー電子回折,Rutherford後方散乱分光法および透過型電子顕微鏡,全ての膜のための単結晶性と界面急峻性を確認した。種々の化学組成を持つ膜のための湿式エッチング剤(HF:HNO_3:H_2O=1:2:400)中でのエッチング速度が得られた。組成Fe_0 0.92Si_0 0.08で最大値となる,シリコン含量に及ぼすエッチング速度の非単調な依存性を発見した。さらに,エッチング過程はエッチング溶液中の垂直及び選択的であり,すなわち,エッチングプロセスはケイ化物膜においてのみ起こり,基板に影響を及ぼさなかった。例として,四端子平面構造は,このシリコン含量で得られたエッチング速度を用いたFe_0 0.75Si_0 0.25/Si(111)構造から作製した。磁気光学Kerr効果(MOKE)顕微鏡と輸送性質の特性化は成功したエッチングプロセスを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Kerr効果 ,  RHEED ,  Rutherford散乱分光法 ,  エッチング ,  ウェットエッチング ,  エッチング液 ,  キャラクタリゼーション ,  *平面構造 ,  *エピタクシー ,  透過型電子顕微鏡 ,  ケイ化物 ,  ケイ素合金 ,  ケイ素
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： けい化鉄 ,  ウエットエッチング ,  平面構造 ,  MOKE顕微鏡

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  成長 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  平面構造