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J-GLOBAL ID：201702253192600567   整理番号：17A1193363

ビニルシランによるアレーンのニッケル触媒C-Hシリル化: 迅速かつ可逆的なβ-Si除去

Nickel-Catalyzed C-H Silylation of Arenes with Vinylsilanes: Rapid and Reversible β-Si Elimination

著者 (2件)： ELSBY Matthew R. (Univ. Windsor, Ontario, CAN) ,  JOHNSON Samuel A. (Univ. Windsor, Ontario, CAN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 27  ページ： 9401-9407  発行年： 2017年07月12日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここで報告したシリル化反応は,類似のC-Hスタニル化反応より高温を必要とする。これは,β-Si除去に対する障壁の増加に起因し,この反応の律速工程であると考えられる。窒素複素環カルベンドナーの使用は,ⁱPr₃Pより熱的に安定な錯体を提供するが,カルベン置換基の選択は反応の選択性に大きな役割を果たす。ニッケル錯体[ⁱPr₂Im]Ni(η²-H₂C=CHSiMe₃)₂(1b)は,低い触媒の負荷で部分的にフッ素化した芳香族の触媒C-Hシリル化を達成した。しかし,IPrカルベンを用いた類似の錯体[ⁱPr]Ni(η²-H₂C=CHSiMe₃)₂(1a)は,C-Hシリル化を起こさなかった。

シソーラス用語： *ニッケル触媒 ,  *シリル化 ,  芳香族フッ素化合物 ,  カルベン ,  窒素複素環化合物 ,  フッ素化 ,  ポテンシャル障壁 ,  ケイ素 ,  ニッケル錯体 ,  カルベン錯体
準シソーラス用語： アレーン ,  窒素複素環カルベン

分類 (3件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y)

物質索引 (6件)： [1,3-ビス(2,6-ジイソプロピルフェニル)-1H-イミダゾール-2(3H)-イリデン]ラジカル ,  ビニルトリメチルシラン ,  ペンタフルオロフェニルトリメチルシラン ,  2,3,5,6-テトラフルオロフェニルトリメチルシラン ,  2,3,5,6-テトラフルオロ-1,4-フェニレンビス(トリメチルシラン) ,  2,4,6-トリフルオロフェニルトリメチルシラン

タイトルに関連する用語 (5件)： ビニルシラン ,  アレーン ,  ニッケル触媒 ,  シリル化 ,  Si