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J-GLOBAL ID：201702253197467757   整理番号：17A0518481

水素発生反応触媒である遷移金属ジカルコゲナイドへの水素吸着メカニズム

The mechanism of hydrogen adsorption on transition metal dichalcogenides as hydrogen evolution reaction catalyst

著者 (8件)： Wang Jinsong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Jia ,  Zhang Bao ,  Ji Xiao ,  Xu Kui ,  Chen Chi ,  Miao Ling ,  Jiang Jianjun
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 15  ページ： 10125-10132  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)は,低コストであり,酸性条件下での良好な電気化学的安定性のために有望な水素発生反応(HER)触媒として広く考えられている。TMD上の水素吸着機構は,HER活性を最適化する上で重要な役割を果たす。本研究では,単純な記述子を用いて水素吸着自由エネルギー(ΔGH)と電子構造との関係を決定するための密度汎関数理論を用いて2H-及び1T-相の一連のTMD(MX₂,M=Co,Cr,Fe,Mn,Mo,Nb,Ni,Re,Sc,Tc,Ti,V,W,ZrおよびX=S,Se,Te)を調べた。その結果,ΔGHと,TMDの非占有電子状態を満たすためにH電子が必要とする仕事との間に正の線形関係があることがわかった。2H-相二硫化モリブデンの不活性基底面を活性化するために,このような線形関係に基づいて,種々の欠陥(B-,C-,N-,O-,F-,P-,Se-ドーピングおよびS-空孔)を利用したが,これにより,より低いエネルギーレベルで不純物状態を導入して,H電子を効果的に収容することができる。加えて,欠陥濃度の増加に伴って,HER活性の更なる最適化が可能である。これらの知見は,HERの性能の実用的なマップを提供するとともに,HERの活性を最適化するための適切な方向性を示している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 水素発生反応 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  密度汎関数法 ,  空孔欠陥 ,  ドーピング ,  欠陥密度 ,  触媒活性 ,  硫化モリブデン ,  解離吸着
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  *水素吸着 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素発生反応 ,  触媒 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  水素吸着 ,  メカニズム