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J-GLOBAL ID：201702253215281939   整理番号：17A0456735

低電圧パワーエレクトロニクス応用のためのPCB埋め込み半導体【Powered by NICT】

PCB Embedded Semiconductors for Low-Voltage Power Electronic Applications

著者 (4件)： Kearney Daniel J. (Power Electronics Department, ABB Corporate Research Centre, Baden-Daettwil, Argaau, Switzerland) ,  Kicin Slavo (ABB Corporate Research Centre, Baden-Daettwil, Argaau, Switzerland) ,  Bianda Enea (ABB Corporate Research Centre, Baden-Daettwil, Argaau, Switzerland) ,  Krivda Andrej (ABB Corporate Research Centre, Baden-Daettwil, Argaau, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7  号： 3  ページ： 387-395  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧(LV)範囲(≦1.2 kV)における電力変換応用 三相インバータなどは,より高い効率,より高い環境温度,小さい形状因子,とより高い出力密度で運転することが要求される。現在まで,ほとんどの研究はプリント回路基板(PCB)埋込みパワーエレクトロニクスのための650Vまでの電圧に焦点を当てた。六絶縁ゲートバイポーラトランジスタに基づく新しい三相インバータモジュールと各1.2kVと25Aへの定格六ダイオードを評価した。このユニークなモジュールはSemikron MiniSKiiP23AC126V1と比較した。PCB埋込み組立工程,比較スイッチング性能評価,熱抵抗の測定,比較寿命,および電気絶縁のいくつかの重要な詳細を考察した。最初に,上部と底部メタライゼーションと銅相互接続技術を含めて紹介したパッケージの詳細な概要。両モジュールのスイッチング性能を150°Cで600Vと25Aで波形のためのターンオンとターンオフ電流の比較した。有限要素法熱シミュレーションを,同一印加電流と冷却条件のための伝統的なワイヤボンディング直接結合銅(DBC)パッケージのそれよりもPCBに埋め込まれたパッケージのための44%まで低い熱抵抗を示した。両パッケージは,従来のDBCモジュールに優れた寿命を示すPCB埋込みパッケージを用いた破壊までのサイクル有効電力である。最後に,最大破壊限界と埋め込まれたPCBモジュールによる部分放電の開始では時効有り無し条件の両方について報告した。全体の所見はLV電力変換のためのPCBに埋め込まれたパワーエレクトロニクスの有望な応用を同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ワイヤボンディング ,  相互接続 ,  IGBT ,  電力変換 ,  有限要素法 ,  熱抵抗 ,  *パワーエレクトロニクス ,  ターンオン ,  メタライゼーション ,  プリント基板 ,  ターンオフ ,  銅 ,  接続品質
準シソーラス用語： 三相 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  パワーエレクトロニクス ,  応用 ,  PCB ,  埋め込み