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J-GLOBAL ID：201702253242027136   整理番号：17A0033352

Si(001)基板上におけるp型Si_1-xSn_x薄膜の固相エピタキシャル成長

著者 (7件)： 稲石優 (名大 院) ,  黒澤昌志 (名大 院) ,  黒澤昌志 (名大 未来研) ,  黒澤昌志 (名大 高等研究院) ,  中塚理 (名大 院) ,  財満鎭明 (名大 院) ,  財満鎭明 (名大 未来研)
資料名： 真空に関する連合講演会講演予稿集
巻： 57th  ページ： 134  発行年： 2016年11月29日 
JST資料番号： L1308A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *FET【トランジスタ】 ,  トンネル効果 ,  化合物半導体 ,  P型半導体 ,  *ケイ素合金 ,  スズ添加合金 ,  ウエハ【IC】 ,  固相成長 ,  バンド構造 ,  ドーピング ,  ガリウム ,  熱処理 ,  結晶構造 ,  置換【油層】 ,  キャリア密度 ,  *固相エピタキシャル成長 ,  シリコンウエハ ,  エネルギー帯 ,  正孔濃度
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  シリコン基板 ,  エネルギーバンド ,  ホール濃度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  薄膜 ,  固相エピタキシャル成長