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J-GLOBAL ID：201702253268049029   整理番号：17A1108693

MIR応用のための複合II型InGaAs/InAs/GaAsSbナノスケールヘテロ構造における高い光学利得の検討

Investigation of high optical gain in complex type-II InGaAs/InAs/GaAsSb nano-scale heterostructure for MIR applications

著者 (6件)： YADAV Nisha (Banasthali Univ., Rajasthan, IND) ,  BHARDWAJ Garima (Banasthali Univ., Rajasthan, IND) ,  ANJUM S. G. (Aligarh Muslim Univ., UP, IND) ,  DALELA S. (Univ. Kota, Rajasthan, IND) ,  SIDDIQUI M. J. (Aligarh Muslim Univ., UP, IND) ,  ALVI P. A. (Banasthali Univ., Rajasthan, IND)
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 56  号： 15  ページ： 4243-4249  発行年： 2017年05月20日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 光増幅 ,  *光増幅器 ,  *利得 ,  *ヘテロ接合 ,  *ナノ構造 ,  アンチモン化物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化インジウム ,  赤外線
準シソーラス用語： GaAsSb ,  ナノスケール ,  ヘテロ構造 ,  光学利得 ,  中赤外線

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： MIR ,  応用 ,  InGaAs ,  InAs ,  GaAsSb ,  ナノスケール ,  ヘテロ構造 ,  光学利得