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J-GLOBAL ID：201702253298392226   整理番号：17A1454147

SiCの上から種結晶を入れる溶液成長中のグラファイトるつぼの形状変化の影響の数値的研究【Powered by NICT】

Numerical investigation of the effect of shape change in graphite crucible during top-seeded solution growth of SiC

著者 (4件)： Mukaiyama Yuji (STR Japan K.K., East Tower 15F, Yokohama Business Park, 134, Goudo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-0005, Japan) ,  Iizuka Masaya (STR Japan K.K., East Tower 15F, Yokohama Business Park, 134, Goudo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-0005, Japan) ,  Vorob’ev Andrey (STR Group-Soft Impact, Ltd., Engels av. 27, 194156 St. Petersburg, Russia) ,  Kalaev Vladimir (STR Group-Soft Impact, Ltd., Engels av. 27, 194156 St. Petersburg, Russia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 475  ページ： 178-185  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,結晶成長中の炭素の溶解を考慮したSiCのトップシード溶液成長中の熱伝達,流れパターン,物質移動,と電磁場に及ぼす黒鉛るつぼの形状変化の影響を研究するために行った複合2次元-3次元数値シミュレーション。各成長過程で黒鉛るつぼ形状は2D軸対称定常大域的熱及び物質移動シミュレーションを用いて予測した。各時間ステップで得られたるつぼ形状,予測るつぼ形状を含む,3D非定常シミュレーションのために使用した。研究は温度に及ぼするつぼの形状変化,高周波加熱系で誘導されたLorentz力分布,流れパターン,溶液中の炭素濃度,およびSiCの成長速度の顕著な影響を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *溶液成長 ,  二次元 ,  物質移動 ,  *グラファイト ,  三次元 ,  炭素 ,  *炭化ケイ素 ,  成長速度 ,  *坩堝 ,  熱伝達 ,  計算機シミュレーション ,  *形態 ,  流れ分布
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *形状変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1計算機シミュレーション ,  A1対流 ,  A1熱伝達 ,  A2トップシード溶液成長 ,  B2半導性けい素化合物

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  種結晶 ,  溶液成長 ,  グラファイト ,  るつぼ ,  形状変化 ,  数値 ,  研究