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J-GLOBAL ID：201702253304941539   整理番号：17A1358528

InGaN/GaNナノワイヤ量子ドット単一光子源のための格子パターン形成した双曲型メタ材料【Powered by NICT】

Grating-patterned hyperbolic metamaterials for InGaN/GaN nanowire quantum dots single photon source

著者 (6件)： Chen Feiliang (Microsystem & Terahertz Research Center of CAEP, 596 Yin He Road, Chengdu, China 610200) ,  Li Qian (Microsystem & Terahertz Research Center of CAEP, 596 Yin He Road, Chengdu, China 610200) ,  Li Mo (Microsystem & Terahertz Research Center of CAEP, 596 Yin He Road, Chengdu, China 610200) ,  Zhang Hui (Microsystem & Terahertz Research Center of CAEP, 596 Yin He Road, Chengdu, China 610200) ,  Huang Feng (Microsystem & Terahertz Research Center of CAEP, 596 Yin He Road, Chengdu, China 610200) ,  Zhang Jian (Microsystem & Terahertz Research Center of CAEP, 596 Yin He Road, Chengdu, China 610200)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NUSOD  ページ： 99-100  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップと大きな励起子結合エネルギーの広い調整範囲にOue,InGaN/GaNナノワイヤ量子ドット(NQD)は可視から近赤外にいたる広い範囲で位置制御された単一光子源(SPS)のための最も有望な候補の一つとなっている。環状格子パターン化された双曲型メタ材料はInGaN/GaN NQD SPSの性能を向上させるために提案した。環状回折格子からの双曲型メタ材料と指向性光出力からの自然放出の広帯域増強を組み合わせることにより,自然放出率と光子抽出効率の両方を高めることができる。著者らの研究は,高周波,高輝度と方向性InGaN/GaN NQD SPS,量子情報処理などの多くの応用のための良好な展望を新しい考え方を提供している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  回折格子 ,  近赤外線 ,  指向性 ,  バンドギャップ ,  *窒化ガリウム ,  *光子 ,  励起子 ,  *ナノワイヤ ,  *パターン形成 ,  自然放出
準シソーラス用語： 量子情報処理 ,  *メタマテリアル ,  *単一光子源 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaN ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  量子ドット ,  単一光子源 ,  格子 ,  パターン形成 ,  双曲型メタ材料