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J-GLOBAL ID：201702253313834530   整理番号：17A0920380

新しいプロセスによるIGZO用ターゲット材の作製 高密度で微細粒なIGZO用スパッタリングターゲット材の開発(平成28年度)

著者 (4件)： 中嶋快雄 (北海道総合研究機構) ,  宮腰康樹 (北海道総合研究機構) ,  板橋孝至 (北海道総合研究機構) ,  坂村喬史 (北海道総合研究機構)
資料名： 北海道立総合研究機構産業技術研究本部工業試験場成果発表会プログラム・発表要旨(Web)  (技術移転フォーラム(Web))
巻： 2017  ページ： 34 (WEB ONLY)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U1078A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  焼結 ,  粉末製造 ,  結晶粒径 ,  RFスパッタリング ,  *ターゲット ,  *化学合成 ,  腐食 ,  スパッタ蒸着 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  液相合成 ,  通電焼結 ,  腐食合成法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： プロセス ,  IGZO ,  ターゲット材 ,  作製 ,  高密度 ,  微細粒 ,  スパッタリングターゲット材 ,  開発