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J-GLOBAL ID:201702253489514992   整理番号:17A1090501

高回折次数のウェハ品質向上のための新しいアライメントマーク設計構造

New alignment mark design structures for higher diffraction order wafer quality enhancement
著者 (8件):
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巻: 10145  号: Pt.2  ページ: 101452C.1-101452C.8  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ALSMの標準アラインメントマスクであるAH53とAH74を比較して,奇数次回折パワーの高い四種類のアライメントマークを最適化した。異なる積層膜および異なるアライメントマークのウェハ品質を迅速に計算するために,Fourier光学理論に基づくソフトウェアを作成した。ASML SMASHアラインメントシステムは新しいマーク型構成ファイルにより,カスタム化アライメントマスクを受け入れることができる。新しいアライメントマークの有効性を実証するために,マスクにマークを付け,シミュレーション結果と実験を比較した。実験結果は,新しいアライメントマークが奇数次回折のウエハ品質が高いことを示した。
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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