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J-GLOBAL ID：201702253511068010   整理番号：17A1833286

近赤外有機フォトトランジスタのための小バンドギャップ(3E,7E)-3,7-ビス(2-オキソインドリン-3-イリデン)ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジフラン-2,6(3H,7H)-ジオン(IBDF)ベースの高分子半導体【Powered by NICT】

A small bandgap (3E,7E)-3,7-bis(2-oxoindolin-3-ylidene)benzo[1,2-b:4,5-b′]difuran-2,6(3H,7H)-dione (IBDF) based polymer semiconductor for near-infrared organic phototransistors

著者 (5件)： He Yinghui (Department of Chemical Engineering and Waterloo Institute for Nanotechnology (WIN), University of Waterloo, 200 University Ave West, Waterloo, Ontario, N2L 3G1, Canada. [e-mail]) ,  Quinn Jesse T. E. ,  Hou Dongliang ,  Ngai Jenner H.L. ,  Li Yuning
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 46  ページ： 12163-12171  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (3E,7E)-3,7-ビス(2-オキソインドリン-3-イリデン)ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジフラン-2,6(3H,7H)-ジオン(IBDF)に基づく小バンドギャップドナー-アクセプタ(D A)ポリマ(PIBDFBTO HH)を合成し,これを供与体として戦略的に選んだ可溶化電子豊富なビルディングブロック,3,3′-ビス(ドデシルオキシ)-2,2′-ビチオフェン(BTO)を含んでいる。PIBDFBTO HHは0.95eVの非常に小さなバンドギャップを持ち,近赤外(NIR)領域,NIR光検出への応用を可能にする1700nmまでを吸収する。このポリマは,光の非存在下で有機薄膜トランジスタ(OTFT)でそれぞれ0.16cmまで~2V~ 1s~ 1と0.14cm~2V~ 1s~ 1の平衡の取れた正孔及び電子移動度をもつ効率的な両極性電荷輸送特性を示した。pチャネル動作領域では,PIBDFBTO HHに基づく有機フォトトランジスタ(OPT)デバイスは,850nmと940nm LED光源の照射下で130と40の感光性(P)を示した。940nm LED下で光応答性(R)は450mA W~ 1に達した。対照的に,nチャネル動作領域では,負の光応答,すなわち,ドレイン電流の減少が観察され,それは印加ゲートバイアスを相殺することを捕獲された電子の数の増加を説明した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 重合体 ,  *高分子半導体 ,  正孔 ,  *近赤外線 ,  *フォトトランジスタ ,  アクセプタ ,  ドナー ,  チャネル ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  光応答 ,  電荷輸送 ,  両極性 ,  電子移動度 ,  有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 近赤外 ,  フォトトランジスタ ,  バンドギャップ ,  ビス ,  ジオン ,  高分子半導体