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J-GLOBAL ID：201702253512968662   整理番号：17A0763541

Kohn-Shamバンドギャップから固体の基本ギャップまで. 整数電子アプローチ

From the Kohn-Sham band gap to the fundamental gap in solids. An integer electron approach

著者 (1件)： Baerends E. J. (Section Theoretical Chemistry, Vrije Universiteit, Amsterdam, The Netherlands. [e-mail])
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 24  ページ： 15639-15656  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子と固体の両方におけるKohn-Sham占有-非占有ギャップは「間違い」としばしば述べられている。著者らは,これが正しい陳述ではないと主張した。それは確かに異なっており,分子では強く,固体では中程度であることから,KS理論は,正確なKS HOMO-LUMOギャップを基本ギャップ(電子親和力(A)とイオン化エネルギー(I)の差(I-A),化学的硬さが2倍)と解釈することはできない。分子内の正確なKohn-Sham HOMO-LUMOギャップは,基本ギャップよりはるかに小さく,非常に小さな光学ギャップ(第1の励起エネルギー)に非常に近く,局所密度近似(LDA)/一般化勾配近似(GGA)は非常に類似のギャップを生じた。固体では状況は異なり,非局在励起状態への励起エネルギーと基本ギャップ(I-A)は非常に似ているが,分子のようにそれほど異質ではなかった。やはりKohn-ShamおよびLDA/GGAバンドギャップは(I-A)を示さないが,かなり小さかった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  エネルギーギャップ ,  電子親和力 ,  イオン化ポテンシャル ,  硬度 ,  光学ギャップ ,  励起エネルギー ,  近似法 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： HOMO-LUMOギャップ ,  イオン化エネルギー ,  一般化勾配近似 ,  化学的硬さ ,  局所密度近似

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SHAM ,  バンドギャップ ,  固体 ,  ギャップ ,  整数 ,  電子