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J-GLOBAL ID：201702253534399414   整理番号：17A0037584

RF-MBE法によるGaN/GaAsヘテロ薄膜のSi基板上への成長

著者 (10件)： 平城大輝 (香川大 工) ,  竹口諒 (香川大 工) ,  石原健也 (香川大 工) ,  久保文寿 (香川大 工) ,  藤田寛子 (香川大 工) ,  森下和博 (香川大 工) ,  宮川勇人 (香川大 工) ,  田中康弘 (香川大 工) ,  鶴町徳昭 (香川大 工) ,  小柴俊 (香川大 工)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2015  ページ： 30  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *素子構造 ,  *ウエハ【IC】 ,  積層構造
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  シリコン基板

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF-MBE ,  GaN ,  GaAs ,  テロ ,  薄膜 ,  Si基板 ,  成長