文献

J-GLOBAL ID：201702253586920903   整理番号：17A1487500

リチウム修飾欠損ホスホレンにおける水素貯蔵の第一原理研究【Powered by NICT】

A first principles study of hydrogen storage in lithium decorated defective phosphorene

著者 (5件)： Haldar Sandip (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, Toronto, ON, M5S 3E4, Canada) ,  Mukherjee Sankha (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, Toronto, ON, M5S 3E4, Canada) ,  Ahmed Farheen (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, Toronto, ON, M5S 3E4, Canada) ,  Singh Chandra Veer (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, Toronto, ON, M5S 3E4, Canada) ,  Singh Chandra Veer (Department of Mechanical and Industrial Engineering, University of Toronto, Toronto, ON, M5S 3E4, Canada)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 36  ページ： 23018-23027  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,密度汎関数理論を用いた効果的な水素貯蔵のための2Dホスホレンの欠陥工学とリチウム修飾を研究した。グラフェンに反して,点欠陥の存在は欠陥ホスホレン上H_2分子のアンカリングのための望ましいものではないことが分かった。以前の研究によれば,欠陥工学,金属装飾,ドーピングのような戦略は,いくつかの2D材料の水素貯蔵容量を増強した。DFTシミュレーションはホスホレンにおける点欠陥は,元のホスホレンに比較して水素貯蔵能力を改善しないことを示した。しかし,欠陥サイト上での選択的リチウム修飾はLi修飾単一空格子点ホスホレンにおける 0.48eV/H_2の結合エネルギーを水素吸着容量を著しく改善した。微分電荷密度と射影状態密度は,構成原子間の相互作用と電荷移動を理解するために計算した。H_2分子の強い分極は電荷蓄積と空乏により証明された。PDOSは,Liの存在は,強化された電荷移動をもたらすことを示した。最大重量密度はLi修飾単一空格子点欠陥ホスホレンへのH_2分子を添加することによって調べた。Li修飾単一空格子点ホスホレンは水素貯蔵のための約5.3%の重量密度を有することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  射影 ,  金属 ,  帯電 ,  *リチウム ,  状態密度 ,  *水素吸蔵 ,  グラフェン ,  シミュレーション ,  *第一原理 ,  点欠陥 ,  電荷移動 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ホスホレン ,  水素貯蔵 ,  リチウム装飾 ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 気体燃料の輸送,供給,貯蔵  (YE02060M)

タイトルに関連する用語 (7件)： リチウム ,  修飾 ,  欠損 ,  ホスホレン ,  水素貯蔵 ,  第一原理 ,  研究