文献

J-GLOBAL ID：201702253588670322   整理番号：17A1810318

ダブルゲートGaAsジャンクションレストランジスタを用いたジキャパシタレス1トランジスタダイナミックランダムアクセスメモリ

Capacitorless one-transistor dynamic random access memory based on double-gate GaAs junctionless transistor

著者 (6件)： YOON Young Jun (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SEO Jae Hwa (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  CHO Min Su (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  KIM Bo Gyeong (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Sang Hyuk (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  KANG In Man (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 6S1  ページ： 06GF01.1-06GF01.6  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： MOSFET ,  *DRAM ,  *ヒ化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  コンデンサ ,  酸化ハフニウム ,  保持時間 ,  範囲 ,  消費電力
準シソーラス用語： キャパシタレス ,  *ジャンクションレスFET ,  ダブルゲートMOSFET ,  検出範囲 ,  低消費電力

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダブルゲート ,  GaAs ,  トランジスタ ,  ダイナミックランダムアクセスメモリ