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J-GLOBAL ID:201702253650291177   整理番号:17A1638491

低温におけるAlドープZnO透明導電膜の溶液燃焼合成【Powered by NICT】

Sol-combustion synthesis of Al-doped ZnO transparent conductive film at low temperature
著者 (9件):
資料名:
巻: 330  ページ: 255-259  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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伝統的化学的方法は,その高いアニーリング温度のためにフレキシブル透明導電性膜を合成するために使用できない。この問題を解決するために,低温で金属酸化物透明導電性膜を調製するためのゾル燃焼の新しい化学法を報告した。AlドープZnO薄膜はこの方法で合成した。最適合成条件を,結晶構造,形態,および光電的性質の解析に基づいて議論した。結果は前駆体中の酢酸亜鉛と硝酸亜鉛の比が5:3で最適化されたことを示した。最適Alドーピング濃度は1%であった。良好な構造的,電気的および光学的性質を持つ膜は低いアニーリング温度250°Cで得られた。可視光とシート抵抗2.4MΩ/sqの80%の透過率を有するAlドープZnO薄膜は,最適反応条件下で得られた。これらの結果は,ゾル燃焼法は,低温度,低コストで他の透明導電膜を調製するための有望な経路でAZO膜を作製できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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酸化物薄膜 
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