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J-GLOBAL ID：201702253697830934   整理番号：17A0763312

炭素注入ZnO薄膜の電子構造および磁気特性におよぼす炭素濃度の影響

The influence of carbon concentration on the electronic structure and magnetic properties of carbon implanted ZnO thin films

著者 (10件)： Saravanan K. (Material Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam - 603102, India. [e-mail]) ,  Jayalakshmi G. ,  Chandra Sharat ,  Panigrahi B. K. ,  Krishnan R. ,  Sundaravel B. ,  Annapoorani S. ,  Shukla D. K. ,  Rajput P. ,  Kanjilal D.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 20  ページ： 13316-13323  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素注入ZnO薄膜の電子構造および磁気特性におよぼす炭素濃度の影響をシンクロトロン放射X線吸収スペクトルおよび振動試料磁力計により測定した。20keV炭素イオンを種々の照射強度(2×10¹⁶,4×10¹⁶および6×10¹⁶ion/cm²)でZnO薄膜に注入した。本来のZnO膜は反強磁性挙動を示すのに対し,炭素注入膜は室温で強磁性を示した。密度汎関数理論に基づく第一原理計算は注入C原子がOサイト(2μ_B)または格子間(1.88μ_Bにある場合にのみかなりの磁気モーメントをもつが,C原子がZnサイトに置換した場合には磁気モーメントをもたないことを示した。X線近吸収端構造(酸素K端)は低照射量の炭素注入ZnO膜においてO-2pからC欠陥サイトへの電荷移動により強磁性が生じることを明らかにした。一方高照射量では注入炭素は格子置換によりZn空孔を多く発生し,強磁性をもたらすことをX線近端微細構造(亜鉛K端)により確めた。炭素注入ZnO膜における注入炭素および強磁性の安定性を500°C等温アニーリングにより調べ,詳細に考察した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  薄膜 ,  *イオン注入 ,  シンクロトロン放射 ,  X線吸収スペクトル ,  磁力計 ,  *電子構造 ,  *磁気的性質 ,  濃度依存性 ,  強磁性 ,  密度汎関数法 ,  第一原理 ,  磁気モーメント ,  XANES ,  電荷移動 ,  格子欠陥 ,  置換型原子 ,  アニーリング【現象】 ,  安定性 ,  X線回折
準シソーラス用語： X線近吸収端構造 ,  磁気特性 ,  振動試料磁力計 ,  *炭素イオン ,  置換原子

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素 ,  注入 ,  ZnO薄膜 ,  電子構造 ,  磁気特性 ,  炭素濃度