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J-GLOBAL ID：201702253753789785   整理番号：17A0965797

W CMPとその改善解後の洗浄後の段階の欠陥に関する研究【Powered by NICT】

Study on the defect of post cleaning step after W CMP and its improving solution

著者 (4件)： Zigui Cao (Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, 1399 Zuchongzhi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, Shanghai, 201203, China) ,  Jun Kang (Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, 1399 Zuchongzhi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, Shanghai, 201203, China) ,  Hao Huang (Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, 1399 Zuchongzhi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, Shanghai, 201203, China) ,  Hui Wang (Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, 1399 Zuchongzhi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, Shanghai, 201203, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,のような欠陥ウォータマークはW CMP後清浄化段階中に調べた。一連の実験を通して,この水マーク欠陥は,酸性環境でイオン純水(DI)水に溶解した凝縮WOX残基によって起こることが分かった。典型的なW CMPプロセス後の付加的な希釈HF(DHF)湿式洗浄段階により,この欠陥は約99.6%に高効率で除去できることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸性 ,  希釈 ,  *純水 ,  凝縮
準シソーラス用語： 高効率 ,  残基 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMP ,  解 ,  洗浄 ,  段階 ,  欠陥 ,  研究