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J-GLOBAL ID：201702253786656302   整理番号：17A1728260

ステップインピーダンス分布増幅器に基づく電圧非感受性負の群遅延回路【Powered by NICT】

Voltage-Insensitive Negative Group Delay Circuit Based on a Stepped-Impedance Distributed Amplifier

著者 (3件)： Zhang Tiedi (EHF Key Laboratory of Science, School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Ruimin (EHF Key Laboratory of Science, School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wu Chung-Tse Michael (Electrical and Computer Engineering Department, Rutgers University, Piscataway, NJ, USA)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 11  ページ： 1007-1009  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 定常群遅延の負性群遅延(NGD)回路とバイアス数の減少を示した。分布増幅器(DA)に基づいて提案NGD回路はバイアス電圧レベルに鈍感であった。異なる段階でのDAの入力及び出力伝送線路の特性インピーダンスを調整することにより,NGD特性は同じバイアス下で実現することができた。ただ一つの単一バイアス電圧をゲートに必要であるという事実にこれはNGDを合成するために反転し,入力ポート間の必要な伝達関数に適合する。より重要なことに,NGDはトランジスタのバイアス電圧,実用的な応用のための重要な基礎を築くに長い敏感ではなかった。測定結果は,種々のバイアス条件下で,この回路は0.13GHz NGD帯域幅内で 1ns群遅延レベルを提供できることを示した。さらに,提案したNGD回路の利得はバイアスレベルを調整することにより構成可能である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 特性インピーダンス ,  *電圧 ,  帯域幅 ,  *感受性 ,  *群遅延特性 ,  利得 ,  ポート ,  伝送線路 ,  *分布増幅器 ,  伝達関数 ,  バイアス ,  トランジスタ
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *ステップインピーダンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ステップインピーダンス ,  分布増幅器 ,  感受性 ,  遅延回路