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J-GLOBAL ID:201702253795153187   整理番号:17A1235677

銅硫化物ナノ結晶中の空格子点生成反応によるドーピングのサイズ依存性【Powered by NICT】

Size Dependence of Doping by a Vacancy Formation Reaction in Copper Sulfide Nanocrystals
著者 (5件):
資料名:
巻: 129  号: 35  ページ: 10471-10476  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0396A  ISSN: 0044-8249  CODEN: ANCEAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノ結晶(NC)のドーピングは半導体の電子的性質のチューニングのための鍵となるが,未調査,アプローチである。NCのドーピングの重要な経路は空孔形成によるものであった。ドーピングのサイズと濃度依存性は,よう素分子(I_2)との酸化還元反応による銅(I)硫化物(Cu_2S)NC,局在表面プラズモン応答を伴う空孔を形成する中で研究した。X線分光法と回折はCu欠乏相へCu_2Sからの変換を明らかにし,CuI形成した。より大きなNCで観察されたより大きな反応効率。この挙動は空格子点形成エネルギーの相互作用,より小さなサイズのNCでは減少し,NC表面,大きなNCの明確なファセット上に有利である上のCuIの成長に起因した。ドーピングプロセスはNCのサイズとよう素の濃度を変化させることによって広い範囲プラズモン周波数の半導体のプラズモン特性の調整を可能にする。NCsの制御された空格子点ドーピングは,オプトエレクトロニクス応用に使用するための半導体を調整し,調整に用いることができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  固体デバイス材料  ,  金属の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (5件):
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