文献

J-GLOBAL ID：201702254101362128   整理番号：17A1119507

バルクヘテロ接合ブレンドにおける初期ドナー-アクセプタ電子相互作用を明らかにするための電子受容体の超低用量の使用【Powered by NICT】

Using Ultralow Dosages of Electron Acceptor to Reveal the Early Stage Donor-Acceptor Electronic Interactions in Bulk Heterojunction Blends

著者 (10件)： Ho Carr Hoi Yi (Department of Physics and Institute of Advanced Materials, Hong Kong Baptist University, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  Cheung Sin Hang (Department of Physics and Institute of Advanced Materials, Hong Kong Baptist University, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  Li Ho-Wa (Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  Chiu Ka Lok (Department of Physics and Institute of Advanced Materials, Hong Kong Baptist University, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  Cheng Yuanhang (Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  Yin Hang (Department of Physics and Institute of Advanced Materials, Hong Kong Baptist University, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  Chan Mau Hing (Department of Physics and Institute of Advanced Materials, Hong Kong Baptist University, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  So Franky (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27606, USA) ,  Tsang Sai-Wing (Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China) ,  So Shu Kong (Department of Physics and Institute of Advanced Materials, Hong Kong Baptist University, Kowloon Tong, Hong Kong, P. R. China)
資料名： Advanced Energy Materials  (Advanced Energy Materials)
巻： 7  号： 12  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2778A  ISSN： 1614-6832  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドナー-アクセプタ(D A)重量比の調整バルクヘテロ接合(BHJ)太陽電池の性能を最適化するための重要なステップである。早期電子D-A相互作用を明らかにする可能性があるにもかかわらず,低いアクセプタ濃度で最適化されていない領域は一般的に検討されていない。本研究では,PTB7:PC_71BMを用いて最適化されていない領域でのデバイス性能を制限する因子を調べることである。重要な制限因子は,フラーレン分子から生じたトラップ状態と局在状態の創製である。光熱偏向分光法を用いて,トラップ密度を定量化することである。元PTB7から出発して,フラーレンの低濃度の添加は電子トラップ密度を増加し,電子移動度を低下させた。D-A重量比が1:0.1に達すると,フラーレンパーコレーションが生じる。トラップ密度の急激な低下であると同時に六桁の大きさは電子移動度が増加した。さらに,対応する光起電力デバイスの曲線因子はトラップ密度とは反相関することが分かった。電子捕獲は低フラーレン領域で最適化されていないBHJ太陽電池に対する主要な制限因子であることを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 局在状態 ,  *相互作用 ,  フラーレン ,  最適化 ,  光熱偏向分光法 ,  *ドナー ,  電子捕獲 ,  *アクセプタ ,  太陽電池
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  電子移動度 ,  PTB7 ,  トラップ密度 ,  *電子受容体 ,  *バルクヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バルクヘテロ接合 ,  キャリア輸送 ,  光熱偏向分光法 ,  太陽光発電 ,  トラップ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： バルクヘテロ接合 ,  ブレンド ,  初期 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  電子 ,  相互作用 ,  電子受容体 ,  低用量