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J-GLOBAL ID:201702254163718128   整理番号:17A0245279

集積フォトニックナノフェンス:サブ波長導波路とエバネセント場の組み合わせによるセンシング応用

Integrated Photonic Nanofences: Combining Subwavelength Waveguides with an Enhanced Evanescent Field for Sensing Applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 778-785  発行年: 2016年01月 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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フォトニック検出デバイスでの分光感度を高めるために,集積フォトニックナノフェンスの利用について検討した。集積フォトニックナノフェンスは,高アスペクト比のサブ波長光導波路であった。ナノフェンスの性能を検証するために,サブ波長導波路とエバネセント場の相互作用について検討した。リソグラフィー法を利用して,シリコン基板上にサブ波長導波路を形成した。これは,幅250nm,高さ6μm,長さ数mmのアレイであり,複雑なフォトニック回路に結合できた。計算機シミュレーションと実験を行い,フォトニックナノフェンスで伝搬するエバネセント場を解析した。エバネセント場により周囲の媒体と強い相互作用が実現された。これらの構造のフォトニック特性を調べ,フォトニックセンサへの集積を行った。フォトニックナノフェンスとイオン感受性光学膜との組み合わせにより,水中の鉛の定量のための吸光度に基づくセンサを実現した。
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分類 (2件):
分類
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光集積回路,集積光学  ,  原子・分子のクラスタ 

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