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J-GLOBAL ID：201702254186091422   整理番号：17A0412360

太陽電池の電気的パラメータからの半導体の温度によるバンドギャップ依存性【Powered by NICT】

Band gap dependence with temperature of semiconductors from solar cells electrical parameters

著者 (4件)： Bensalem S. (Centre de Developpement des Energies Renouvelables, CDER, BP 62 Route de l’Observatoire Bouzareah, 16340 Algiers, Algeria) ,  Chegaar M. (Departement de Physique, Faculte des Sciences, Universite Setif 1, 19000 Setif, Algeria) ,  Chegaar M. (Laboratoire d’Optoelectronique et Composants, Universite Setif 1, 19000 Setif, Algeria) ,  Herguth A. (University of Konstanz, Department of Physics, P.O. Box 676, 78457 Konstanz, Germany)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 1  ページ： 55-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 開回路電圧の実験的測定と異なる温度で短絡電流密度を用いて,太陽電池のための,当装置を構成する半導体の温度に伴うバンドギャップ発展を数値的に調べた。シリコン半導体の場合のアプローチの応用は以前の研究と比較して満足すべき結果を与えた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *半導体 ,  ケイ素 ,  *バンドギャップ ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： バンドギャップ ,  Semiconductors ,  温度 ,  太陽電池 ,  開路電圧 ,  短絡電流密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽電池 ,  パラメータ ,  バンドギャップ ,  依存性