新化合物La_0 6Gd_0 1Sr_0 3Mn_0 8Si_0 2O_3亜マンガン酸塩における臨界挙動と電気的性質の巨大磁気抵抗と相関【Powered by NICT】

Dhahri Ah.; Dhahri Ah.; Dhahri E.; Hlil E.K.

文献

J-GLOBAL ID：201702254222374995 整理番号：17A1563489

新化合物La_0 6Gd_0 1Sr_0 3Mn_0 8Si_0 2O_3亜マンガン酸塩における臨界挙動と電気的性質の巨大磁気抵抗と相関【Powered by NICT】

Giant magnetoresistance and correlation between critical behavior and electrical properties in a new compound La_0.6Gd_0.1Sr_0.3Mn_0.8Si_0.2O₃ manganite

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資料名：
巻： 727 ページ： 449-459 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

多結晶試料La_0 6Gd_0 1Sr_0 3Mn_0 8Si_0 2O_3(LGSMSiO)の構造,磁気的および電気的性質に及ぼすシリコーン(Si)ドーピングの影響,ゾル-ゲル法による調製を検討した。結晶学的研究は,試料が空間群Pnmaを持つ斜方晶系に結晶化することを示した。亜マンガン酸塩の電気的および磁気的性質の間の関係は温度にLGSMSiO抵抗率の依存性を解析することにより追跡した。電気抵抗率-温度ρ(T)の測定は,Curie温度(T_C)で強磁性(FM)から転移変化を示した常磁性(PM)への,これは通常同時金属-半導体(半導体)転移を伴っていた。抵抗率は印加した磁場の増加と共に減少した。T_M半導体の値は磁場の増大とともに高温側に向かって動くことが分かった。電子ドープしたマンガン酸塩LGSMSiOの臨界特性を,二次強磁性-常磁性転移領域T_C周辺での静的磁化測定のデータについて検討した。Kouvel-Fisher法を用いた臨界領域における解析磁気データは,TC=270.69±0.22K(T_C以上逆初期磁化率の温度依存性から)及びTC=269.89±0.12Kを持つβ=0.2535±0.0032(T_C以下で自発磁化の温度依存性から)とγ=1.013±0.02の臨界指数が得られた。臨界磁化等温線M(T_C,μ_0H)が5.01±0.03を与えた。本研究で見出された臨界指数は,Widomスケーリング関係:δ=0~1+γ/βに従い,γとβの得られた値は信頼性があることを示唆した。抵抗率から得られた指数値は三重臨界平均場モデルにより予測されたものに非常に近かった。これらの結果は,磁化測定から臨界指数の解析と良く一致した。電気抵抗率は現象論的パーコレーションモデル,強磁性金属領域と常磁性半導体領域の相分離に基づくに適合させた。,推定した結果は実験データと一致していたことを見出した。磁気熱量値は5.35kgK,M(μ_0H)曲線から抽出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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酸化物結晶の磁性

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