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J-GLOBAL ID：201702254244234676   整理番号：17A1174734

2準位量子ドットを持つ電流におけるフォノン誘起光学利得【Powered by NICT】

Phonon induced optical gain in a current carrying two-level quantum dot

著者 (2件)： Eskandari-asl Amir (Department of Physics, Shahid Beheshti University, G.C. Evin, Tehran 1983963113, Iran) ,  Eskandari-asl Amir (School of Nano Science, Institute for Research in Fundamental Sciences (IPM), P.O. Box: 19395-5531, Tehran, Iran)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 513  ページ： 82-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,単一モードフォノン浴と結合した電流を運ぶ二準位量子ドット(QD)を考察した。自己無撞着H artree-Fock近似を用いて,QDのI-V曲線を得た。入射古典光に対する著者らのシステムの線形応答を考慮して,パラメトリック領域に依存して,系は弱いまたは強い光吸収を持つことができたやレーザ発振を示す可能性があることが分かった。レーザ発振は十分に高いバイアス電圧で生じ,サイドバンドを考慮した反転分布により説明されるが,より高いレベルの全電子占有率が低いものより小さかった。では最も重要なレーザ発振を持つ頻度は準位間隔とフォノン周波数と電子-フォノン結合強度には依存しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 側波帯 ,  付着強さ ,  光吸収 ,  *量子ドット ,  反転分布 ,  単一モード ,  レーザ発振 ,  *電流 ,  占有率 ,  近似法 ,  *フォノン
準シソーラス用語： フォノン周波数 ,  バイアス電圧 ,  線形応答 ,  *光利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光学利得 ,  量子ドット ,  フォノン ,  H artree-Fock近似

分類 (3件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット ,  フォノン ,  誘起 ,  光学利得