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J-GLOBAL ID：201702254314270995   整理番号：17A0591473

ミクロロッドを埋め込んだゾル-ゲル誘導Al-GaドープZnO薄膜

Sol-Gel Derived Al-Ga Co-Doped ZnO Thin Films Embedded with Microrods

著者 (5件)： NG Zi-Neng (Multimedia Univ., Selangor, MYS) ,  CHAN Kah-Yoong (Multimedia Univ., Selangor, MYS) ,  SIN Yew-Keong (Multimedia Univ., Selangor, MYS) ,  YAM Fong-Kwong (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  KNIPP Dietmar (Jacobs Univ. Bremen, Bremen, DEU)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 1  ページ： 348-353  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,ドープレベルが異なるAlとGaをドープしたZnO薄膜を,ゾル-ゲルスピン被覆法で堆積した。この低コスト堆積法では,低抵抗率と高透明性の導電性同時ドープZnO膜の作成に重点を置いた。原子間力顕微鏡法と電界放出走査型電子顕微鏡法による形態観察から,同時ドープ膜の粒状構造にミクロロッドが含まれていることが分かった。ミクロロッドの密度は,ドープ量の増加関数である。同時ドープ膜の電気特性は,単一GaドープZnO膜のそれと同程度であった。これはドープしたZnO膜の製作コストの削減につながる。これらの特徴から,太陽電池や有機発光ダイオードのようなオプトエレトロニク素子の分野で,ミクロロッド内在膜の新しい応用性が期待される。

シソーラス用語： *ゾル-ゲル法 ,  *スピンコーティング ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  性質 ,  電気抵抗 ,  *透明導電膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  *微細構造
準シソーラス用語： *同時ドーピング ,  透明性 ,  電界放出走査電子顕微鏡 ,  *マイクロロッド

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ミクロロッド ,  ゾル-ゲル ,  誘導 ,  Al ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO薄膜