文献

J-GLOBAL ID：201702254336146909   整理番号：17A1708438

CdZnTe上にスパッタと無電解堆積した金接触のために形成された表面と界面の比較【Powered by NICT】

Comparison of the surfaces and interfaces formed for sputter and electroless deposited gold contacts on CdZnTe

著者 (11件)： Bell Steven J. (Rutherford Appleton Laboratory, Harwell-Oxford, Oxfordshire, OX11 0QX, UK) ,  Bell Steven J. (Faculty of Engineering and Physical Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK) ,  Bell Steven J. (National Physical Laboratory, Hampton Road, Teddington, Middlesex, TW11 0LW, UK) ,  Baker Mark A. (Faculty of Engineering and Physical Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK) ,  Duarte Diana D. (Rutherford Appleton Laboratory, Harwell-Oxford, Oxfordshire, OX11 0QX, UK) ,  Duarte Diana D. (Faculty of Engineering and Physical Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK) ,  Schneider Andreas (Rutherford Appleton Laboratory, Harwell-Oxford, Oxfordshire, OX11 0QX, UK) ,  Seller Paul (Rutherford Appleton Laboratory, Harwell-Oxford, Oxfordshire, OX11 0QX, UK) ,  Sellin Paul J. (Faculty of Engineering and Physical Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK) ,  Veale Matthew C. (Rutherford Appleton Laboratory, Harwell-Oxford, Oxfordshire, OX11 0QX, UK) ,  Wilson Matthew D. (Rutherford Appleton Laboratory, Harwell-Oxford, Oxfordshire, OX11 0QX, UK)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 427  号： PA  ページ： 1257-1270  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウム亜鉛(CdZnTe)は,国土安全保障,医用画像,工業分析と天体物理学の分野における分光学的X/γ線イメージングのための先導センサ材料である。接触蒸着中に形成される金属-半導体界面は,検出器の分光性能にとって基本的に重要である,主に堆積法により決定した。(111)配列したCdZnTe上への金のスパッタリングと無電解堆積により形成した金属-半導体界面の多重技術解析を提示した。集束イオンビーム(FIB)断面積イメージング,X線光電子分光法(XPS)深さプロファイリングと電流-電圧(IV)分析は,金接触の構造的,化学的および電子的性質を決定するために適用した。新しいアプローチでは,主成分分析によって,土壌層内の異なる深さから詳細な化学状態情報を抽出するためのXPS深さプロフィルに使われている。無電解めっきは酸化テルル,金/金テルル化粒子,及び塩化カドミウムからなる複雑な,傾斜界面形成することが分かった。これはスパッタ蒸着により形成された界面の観察されたバルクCdZnTe表面金からの鋭い遷移と比較した。無電解蒸着接触をもつ検出器のための電子(IV)応答は対称であったが,スパッタした金接触を持つ検出器のための非対称であった。これは無電解めっきCdZnTe(111)結晶のCd及びTe面間の差を分解に起因するが,これらの相違はスパッタ蒸着した金接触で維持されている。現在高分解能CdZnTe検出器の開発における制限因子である金属-半導体界面の最適化における重要な段階である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 対称性 ,  *電解 ,  *金 ,  *カドミウム ,  深さプロフィル ,  X線光電子分光法 ,  最適化 ,  テルル ,  蒸着 ,  画像処理 ,  半導体 ,  無電解めっき ,  検出器 ,  X線光電子スペクトル ,  *界面
準シソーラス用語： *テルル化亜鉛カドミウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdZnTe ,  無電解めっき ,  金属-半導体界面 ,  角度分解X線光電子分光法 ,  集束イオンビーム断面積イメージング ,  電流-電圧解析

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  無電解めっき  (WC08024S)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdZnTe ,  スパッタ ,  電解 ,  堆積 ,  金 ,  界面