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J-GLOBAL ID：201702254348692083   整理番号：17A0568082

出力増進モードGaN HEMTの切替中の発振挙動の源について

On the Source of Oscillatory Behaviour during Switching of Power Enhancement Mode GaN HEMTs

著者 (6件)： EFTHYMIOU Loizos (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  CAMUSO Gianluca (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  LONGOBARDI Giorgia (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  CHIEN Terry (Vishay General Semiconductor, Taipei, TWN) ,  CHEN Max (Vishay General Semiconductor, Taipei, TWN) ,  UDREA Florin (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスアプリケーション用の窒化ガリウム(GaN)デバイス技術が大量生産のために増加している現在,回路におけるGaNパワーデバイスの性能に焦点を当てた研究がますます増えている。本研究では,観察された振動効果の源を調べる目的で,増進モードGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)が,クランプされた誘導スイッチング構成で切り替えられた。これらは,シリコンデバイスと比較してGaNデバイスのスイッチング速度能力が向上した結果として生じたものである。本研究は,ターンオフ中のリンギング動作につながり,寄生共通ソースインダクタンスに対する温度効果を考慮する2つの主要なメカニズム(ミラー容量電荷と寄生共通ソースインダクタンス)が特定している。さらに,実験結果は,振動への異なる回路部品の寄与を評価するためのSPICEモデリングにより裏付けられてた。本研究は,議論された効果を抑制できる優れた設計手法で結論づけている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *パワーエレクトロニクス ,  *キャリア移動度 ,  *スイッチング ,  *信号現象 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 窒化ガリウムHEMT ,  *電子移動度 ,  *スイッチング速度 ,  *リンギング ,  リンギング抑制 ,  シリコン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  切替 ,  挙動