II金型ZQキャリブレーション法を用いた電力単離したLVSTLおよび分割型アーキテクチャを用いた23.2A5Gb/s/pin8Gb LPDDR4X SDRAM【Powered by NICT】

Lee Chang-Kyo; Eom Yoon-Joo; Park Jin-Hee; Lee Junha; Kim Hye-Ran; Kim Kihan; Choi Young; Chang Ho-Jun; Kim Jonghyuk; Bang Jong-Min; Shin Seungjun; Park Hanna; Park Sujin; Choi Young-Ryeol; Lee Hoon; Jeon Kyong-Ho; Lee Jae-Young; Ahn Hyo-Joo; Kim Kyoung-Ho; Kim Jung-Sik; Chang Soobong; Hwang Hyong-Ryol; Kim Duyeul; Yoon Yoon-Hwan; Hyun Seok-Hun; Park Joon-Young; Song Yoon-Gyu; Park Youn-Sik; Kwon Hyuck-Joon; Bae Seung-Jun; Oh Tae-Young; Song In-Dal; Bae Yong-Cheol; Choi Jung-Hwan; Park Kwang-Il; Jang Seong-Jin; Jin Gyo-Young

文献

J-GLOBAL ID：201702254407291091 整理番号：17A0417620

II金型ZQキャリブレーション法を用いた電力単離したLVSTLおよび分割型アーキテクチャを用いた23.2A5Gb/s/pin8Gb LPDDR4X SDRAM【Powered by NICT】

23.2 A 5Gb/s/pin 8Gb LPDDR4X SDRAM with power-isolated LVSTL and split-die architecture with 2-die ZQ calibration scheme

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資料名：
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 390-391 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低出力モバイル応用のための需要増大,ウェアラブルデバイス,スマートフォンやタブレットPCのような,低電力モバイルDRAMは低電力システム設計のための必須条件として同定されている。最近開発されたLPDDR4[1]は,その建築アプローチと低電圧振幅終端論理(LVSTL)のために,電力効率の良い解決法である。LPDDR4を越えた電力効率向上のための需要はまだモバイル応用のための増加している。本研究では,孤立した低電圧振幅終端論理(PI LVSTL)と分割金型構造を有する5.0Gbp/s/pin8Gb LPDDR4X記憶は電力効率と大量生産収率を高めることを提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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人間機械系 , 移動通信

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