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J-GLOBAL ID：201702254476332694   整理番号：17A1650456

無線応用のための新しいInGaAs/inALAs pHEMTを用いた低雑音差動増幅器設計【Powered by NICT】

Low noise differential amplifier design using novel inGaAs/inALAs pHEMT for wireless applications

著者 (4件)： Ahmad N. (School of Microeletronic, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP), Perlis, Malaysia) ,  Muhamad M. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA (UiTM), ShahAlam, Malaysia) ,  Wooi C. J. (School of Microeletronic, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP), Perlis, Malaysia) ,  Isa M. Mohamad (School of Microeletronic, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP), Perlis, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAIE  ページ： 75-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,無線応用のためのシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(pHEMT)に基づく技術による微分LNA設計に着目し,標準1μm pHEMTは設計を通して遂行された。LNA設計は二段階で完了し,利得および雑音性能を十分に増加を目的とした。提案LNA設計は1.5dB以下であることを雑音指数26±4dB利得への応用の機能性を有する。本文に提示されている 13.59dBの入力リターンロス(S11)と電力消費124mWの。2GHzまで0.4から関心周波数範囲はLバンドに配分される,設計は必要な振動数域において無条件に安定である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音特性 ,  *HEMT ,  周波数 ,  利得 ,  振動数 ,  *差動増幅器 ,  雑音指数 ,  微分 ,  電力消費
準シソーラス用語： Lバンド ,  反射減衰量 ,  機能性 ,  *低雑音 ,  *PHEMT ,  *ワイヤレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 無線 ,  応用 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  PHEMT ,  低雑音 ,  差動増幅器 ,  設計