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J-GLOBAL ID:201702254491340432   整理番号:17A1165047

ガラス研磨中の表面μ粗さと界面スラリー粒子空間分布の間の関係【Powered by NICT】

Relationship between surface μ-roughness and interface slurry particle spatial distribution during glass polishing
著者 (9件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 2790-2802  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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光学ガラス研磨中に,工作物の間の相互作用(すなわち,ガラス),研磨スラリーとパッドの数は異なる空間スケール長で得られた加工片表面粗さに影響する。著者らの以前の研究では,スラリー,パッドトポグラフィーおよびワークピース上の単一粒子により除去される材料の量の粒度分布はA FMスケール長(nm μm)における粗さとμ粗さスケール長(μm mm)で弱く関連することを示した。本研究では,研磨スラリーpHとガラス除去生成物の生成は研磨界面とガラス工作物の得られたμ粗さでのスラリー粒子空間と高さ分布に影響を与えることを示した。一連の石英ガラスとリン酸塩ガラス試料のはスラリーのpHにわたって種々のセリアとコロイド状シリカスラリーで研磨し,得られたA FM粗度とμ粗さを測定した。A FM粗さはpHを伴うが,主として不変であり,単一粒子の除去機能はpHで変化しないことを示唆した。しかし,μ粗さは著しく変化し,りん酸塩ガラスのpHと共に直線的に上昇し,溶融シリカの中間pHで最大を示した。さらに,パッド(レーザ共焦点顕微鏡で測定した)に及ぼすスラリー粒子の空間と高さ分布はリン酸塩ガラス研磨中の低および高pHで明確に異なることを決定した。,pHの関数としてのゼータ電位は研磨の間に界面電荷の役割を評価するために,代理ガラス製品(シリカのためのりん酸塩ガラスとSi(OH)4のK_3PO_4)なしで加工品,スラリー,パッドで測定した。K_3PO_4の添加はζ電位を有意に上昇,Si(OH)4の添加はゼータ電位にほとんど影響を与えなかった。測定されたゼータ電位を用いて,静電DLVO三体力モデルを用いて,pHの関数と界面でのガラス製品の導入としての粒子-粒子,粒子工作物,粒子とパッド引力と斥力を計算した。モデルはリン酸塩ガラス研磨中のパッドで測定したスラリー分布と一致するpHとリン酸塩ガラス生成物の増加を伴う粒子とパッド引力の増加を予測した。最後に,測定した界面スラリー分布と負荷バランスを利用した界面ギャップ,接触面積率,各スラリーに及ぼす荷重「島」を決定するために定式化されているスラリー「島」分布ギャップ(IDG)モデル。IDGモデルを用いて,工作物表面トポグラフィーと粗さをシミュレートするために使用した。結果は実験的に観察されたものと類似したpHと粗さの増加を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 
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