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J-GLOBAL ID:201702254630752429   整理番号:17A1380925

Xeイオンを照射したZrN,Si_3N_4とZrN/SiN_xナノスケール膜の微細構造の特徴【Powered by NICT】

Features of microstructure of ZrN, Si3N4 and ZrN/SiNx nanoscale films irradiated by Xe ions
著者 (13件):
資料名:
巻: 143  ページ: 491-494  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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マグネトロンスパッタリングにより蒸着したZrN,Si_3N_4モノリシック膜とZrN/SiN_x多層膜のXe照射(360keV,5×10~16cm~ 2)後のミクロ組織特徴のTEM研究について報告した。,Xeイオンを照射したZrNナノ結晶膜のTEM研究の結果は,この膜は注入にほとんど影響されないと考えられることを示した。少量損傷のみが観察された。SiN_x非晶質膜,Xeイオンによる照射では,大きな(最大40nm)及び小(~5 nm)気泡の多くが見出された。最大放射損傷に対応する深さで注入したキセノン(大きな気泡の形成)の蓄積を明らかにした。多層膜の場合には,注入範囲に近い結晶ZrN非晶質SiN_x層の境界は注入イオンの最大エネルギー放出領域における不鮮明されていることが分かった。小気泡はSiN_x非晶質層に見られるそれらは層の中央に位置している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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その他の無機化合物の薄膜  ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化 
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