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J-GLOBAL ID:201702254671345042   整理番号:17A1503404

エピタキシャルMoO/Co_2MnSi(001)構造の界面形成元素偏析と酸素移動【Powered by NICT】

Interface formation of epitaxial MgO/Co2MnSi(001) structures: Elemental segregation and oxygen migration
著者 (8件):
資料名:
巻: 444  ページ: 383-389  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0644A  ISSN: 0304-8853  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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エピタキシャルMgO/Co2MnSi(001)膜の界面形成を,その場X線光電子分光法(XPS)を用いて研究した。MgOは電子ビーム蒸着を用いた単結晶Coの2MnSi(001)層上に堆積した:蒸着したMgO酸素は脱離しながら,MgO蒸着中の酸素分圧の上昇に幾分によるCo2MnSi層を酸化するために期待されている技術。予想外ではないが,MgOの電子ビーム蒸着はCoの2MnSi表面を酸化する容易にレベルに堆積容器中の酸素背景を上昇させ,Co上のMnとSiに優先的に酸素結合を有することを見出した。興味深いことに,この酸化は元素偏析を引き起こし,Mn-Si表面に向かって効果的に,未酸化Coの2MnSi膜の元の表面から異なる有意に組成のCo2MnSi界面をもたらす。MgOは酸化Co2MnSiに析出する場合があるので,Mn酸化物が減少するが,Si酸化物が残存し,超高真空中での付加的なアニーリング後にのみ幾分減少した。MgOはCoの2MnSi上に成長させた後のアニーリングは,酸素が表面に向かってとMgOに酸化したCo2MnSi界面から離れて移動した。この観察は,作製した磁気トンネル接合(MTJ)で測定した成長後のアニーリングとトンネル磁気抵抗比の増加と一致した。調査結果はMgO/ホイスラーベースMTJsの作製,接触分離を伴うトンネリング確率の指数関数的減衰は強磁性体/トンネル障壁界面の重要性を例示しているが議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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金属結晶の磁性  ,  金属薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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