文献
J-GLOBAL ID:201702254678131966   整理番号:17A1193362

六方晶窒化ホウ素上の高結晶性単層二硫化モリブデンの分子線エピタキシー

Molecular Beam Epitaxy of Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide on Hexagonal Boron Nitride
著者 (21件):
資料名:
巻: 139  号: 27  ページ: 9392-9400  発行年: 2017年07月12日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
MBE成長は成長パラメータ(厚さ)を精密に制御して,核生成した結晶の形状制御を可能とした。MoS2粒のh-BN基板上での同じ配向でのエピタキシャル成長を,熱力学的に制御された条件下で達成した。同じ配向をもつMoS2粒を,何らの粒界を形成することなく完全に併合した。結果として,粒のシームレス併合は,最終的にh-BNの全面を覆う高結晶膜を形成した。高品質でウエハースケールのh-BNの形成は,MoS2の大面積ヘテロエピタキシャル成長を可能とする。ファンデルワールスヘテロ構造に用いるときの不働態化とその優れた誘電特性に対するh-BNの適用の観点において,本法は2D材料の広範な電子用途に対して道を拓く。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の結晶成長  ,  硫黄とその化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る