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J-GLOBAL ID：201702254755300912   整理番号：17A0945419

完全空乏型SOIピクセルイメージセンサの感度評価

Sensitivity evaluation of fully depleted SOI pixel image sensor

著者 (10件)： 中西駿太 (静岡大) ,  亀濱博紀 (静岡大) ,  SHEREATHA Sumeet (静岡大) ,  安富啓太 (静岡大) ,  香川景一郎 (静岡大) ,  寺西信一 (静岡大) ,  武田彩希 (静岡大) ,  鶴剛 (静岡大) ,  新井康夫 (静岡大) ,  川人祥二 (静岡大)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 41  号： 19(IST2017 34-40)  ページ： 17-20  発行年： 2017年06月16日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SOI(Silicon-On-Insulator)ピクセルイメージセンサは,従来,支持基板として構成されていた下層Si層を完全空乏化してピクセル検出器として活用し,上層のSOI層を画素回路や読み出し回路として使用している。厚い空乏層(200μm)を持つ完全空乏型SOIピクセルイメージセンサはX線や近赤外線のセンシングに適しており,裏面照射と完全空乏化により高い量子効率が可能となる。本研究では,完全空乏型SOIピクセルイメージセンサの基本特性として,量子効率等の評価を行った。試作したセンサの測定の結果,近赤外線領域で高い量子効率が得られることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *SOI構造 ,  量子効率 ,  *イメージセンサ ,  画素 ,  空乏層 ,  評価試験 ,  照射 ,  近赤外線 ,  感度解析
準シソーラス用語： ピクセル ,  裏面照射

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  テレビジョン一般  (ND12031N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 完全空乏型SOI ,  ピクセル ,  イメージセンサ ,  感度 ,  評価