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J-GLOBAL ID：201702254761409473   整理番号：17A0883608

SrRuO_3/BaTiO_3/SrRuO_3コンデンサとその臨界厚さにおける強誘電性の界面制御【Powered by NICT】

Interface Control of Ferroelectricity in an SrRuO₃/BaTiO₃/SrRuO₃ Capacitor and its Critical Thickness

著者 (22件)： Shin Yeong Jae (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Shin Yeong Jae (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Yoonkoo (Department of Materials Science and Engineering and Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kang Sung-Jin (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kang Sung-Jin (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Nahm Ho-Hyun (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Nahm Ho-Hyun (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Murugavel Pattukkannu (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India) ,  Kim Jeong Rae (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Jeong Rae (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Cho Myung Rae (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Cho Myung Rae (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Wang Lingfei (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Wang Lingfei (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Yang Sang Mo (Department of Physics, Sookmyung Women’s University, Seoul, 04310, Republic of Korea) ,  Yoon Jong-Gul (Department of Physics, University of Suwon, Hwaseong, Gyunggi-do, 18323, Republic of Korea) ,  Chung Jin-Seok (Department of Physics, Soongsil University, Seoul, 06978, Republic of Korea) ,  Kim Miyoung (Department of Materials Science and Engineering and Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Zhou Hua (Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Lemont, IL, 60439, USA) ,  Chang Seo Hyoung (Department of Physics, Pukyong National University, Busan, 48513, Republic of Korea) ,  Noh Tae Won (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Noh Tae Won (Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 19  ページ： ROMBUNNO.201602795  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 人工酸化物ヘテロ構造の原子スケール合成は本質的に発生しない新しい状態を生成するために新しい機会を提供した。これらの構造を合成に関連する主要な課題は,設計された終結配列を持つ原子的に鋭い界面を得ることである。本研究では,成長中の酸素圧(PO2)はSrRuO_3/BaTiO_3/SrRuO_3(SRO/BTO/SRO)強誘電(FE)キャパシタの界面終端を制御するのに重要な役割を果たしていることを実証した。SRO/BTO/SROヘテロ構造をパルスレーザ蒸着法により成長させた。高PO2(約150mTorr)で成長させた,トップSRO/BTO界面は通常RuO_2~-BaOとSrO TiO_2終端の混合物を示した。PO2を低下させることにより,著者らは,均一なSrO TiO_2終端をもつ原子的に鋭いSRO/BTOトップ界面を得た。対称で均一な界面終端をもつキャパシタデバイスを用いて,FE臨界厚さは3.5単位格子の理論限界に達することができることを初めて実証した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 対称性 ,  *界面 ,  *コンデンサ ,  酸化物 ,  *臨界 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *強誘電性
準シソーラス用語： 単位格子 ,  酸素分圧 ,  原子スケール ,  ヘテロ構造 ,  *界面制御 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BaTiO3 ,  強誘電臨界厚さ ,  強誘電性 ,  界面工学

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： コンデンサ ,  臨界 ,  厚さ ,  強誘電性 ,  界面制御