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J-GLOBAL ID：201702254765923963   整理番号：17A0939286

NドープZnO MoS_2二元ヘテロ接合:テトラサイクリン分解のための可視光照射下での光安定性と光触媒活性の増強における2D MoS_2の二重の役割【Powered by NICT】

N-doped ZnO-MoS₂ binary heterojunctions: the dual role of 2D MoS₂ in the enhancement of photostability and photocatalytic activity under visible light irradiation for tetracycline degradation

著者 (4件)： Kumar Suneel (School of Basic Sciences and Advanced Materials Research Center, Indian Institute of Technology Mandi, Kamand, Mandi 175005, Himachal Pradesh, India. [e-mail]) ,  Sharma Vipul ,  Bhattacharyya Kaustava ,  Krishnan Venkata
資料名： Materials Chemistry Frontiers  (Materials Chemistry Frontiers)
巻： 1  号： 6  ページ： 1093-1106  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2466A  ISSN： 2052-1537  CODEN： MCFAC5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々の量で二次元MoS_2ナノフラワーを負荷したNをドープしたZnOナノロッドを含む二成分半導体ヘテロ接合の作製,容易な水熱合成法を報告した。これら半導体ヘテロ接合は,医薬品汚染物質,テトラサイクリンの分解のための可視光照射下での強化された性能を有する高度に効率的な光触媒であることが示されている。ヘテロ接合の優れた光触媒活性は,反応サイトへの可視光,光生成電荷キャリアの効率的な分離と迅速な電荷移動の高い吸収をもたらすZnOのNドーピングとMoS_2の負荷の相乗効果に起因すると考えられる,NドープZnOとMoS_2両方の伝導バンド電位に従った。さらに,MoS_2の二次元ナノフラワー形態は汚染物質の吸着のためのより多くの反応部位を提供し,その大きな表面積によるものであった。MoS_2の価電子帯へのNドープZnOの価電子帯からの正孔の移動はNドープZnOの光腐食を防止する反応中の触媒の促進した光安定性をもたらした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 汚染物質 ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *光触媒 ,  価電子バンド ,  電荷移動 ,  水熱合成 ,  *ヘテロ接合 ,  *可視光 ,  エノール ,  芳香族ケトン ,  フェノール類 ,  カルボアミド ,  エノン ,  芳香族縮合化合物 ,  アミノアルコール ,  ケト酸 ,  ジケトン ,  第三アミン ,  ヒドロキシ酸 ,  ヒドロキシケトン ,  ポリオール
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  ナノフラワー ,  *光触媒活性 ,  *光安定性 ,  *可視光照射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

物質索引 (1件)： テトラサイクリン

タイトルに関連する用語 (11件)： ドープ ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  テトラサイクリン ,  分解 ,  可視光照射 ,  光安定性 ,  光触媒活性 ,  増強 ,  2D ,  役割