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J-GLOBAL ID：201702254780575490   整理番号：17A0527052

コロイド性II-VI半導体ナノ結晶中の表面トラップの起源について

On the Origin of Surface Traps in Colloidal II-VI Semiconductor Nanocrystals

著者 (4件)： HOUTEPEN Arjan J. (TU Delft, Delft, NLD) ,  HENS Zeger (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  OWEN Jonathan S. (Columbia Univ., New York, USA) ,  INFANTE Ivan (VU Univ. Amsterdam, Amsterdam, NLD)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 2  ページ： 752-761  発行年： 2017年01月24日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cd₆₈Se₅₅ナノ結晶半導体の電子構造に対する3種の配位子の影響について,密度関数理論を用いて調べた。2電子供与性のL配位子(Lewis塩基)と1電子供与性のX配位子(RCOO^-などのアニオン)と電子受容性のZ配位子の影響について調べた。表面に存在する殆どの懸垂原子はトラップを構成せず,ナノ結晶の電子構造に影響が少なかった。しかし,Z配位子はSe表面原子に配位して中間バンドを形成するとわかった。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  化合物半導体 ,  電子構造 ,  添加物効果 ,  配位子効果 ,  計算化学 ,  密度汎関数法 ,  表面構造 ,  表面性状 ,  バンド構造 ,  ナノ結晶 ,  表面改質

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： コロイド ,  II-VI半導体 ,  ナノ結晶 ,  トラップ ,  起源