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J-GLOBAL ID：201702254881310011   整理番号：17A0697146

有機金属分子ビームエピタクシーによるウルツ鉱型InP/GaPコア-シェルナノワイヤの成長【Powered by NICT】

Growth of wurtzite InP/GaP core-shell nanowires by metal-organic molecular beam epitaxy

著者 (5件)： Halder Nripendra N. (Electrical Engineering Faculty, Technion Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Kelrich Alexander (Electrical Engineering Faculty, Technion Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Kauffmann Yaron (Department of Materials Science and Engineering, Technion Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Cohen Shimon (Electrical Engineering Faculty, Technion Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel) ,  Ritter Dan (Electrical Engineering Faculty, Technion Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 10-13  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属分子ビームエピタクシーによるInP/GaPコア-シェルナノワイヤ(NWs)の選択領域気液固(SA VLS)成長について報告する。コアInPのウルツ鉱型結晶構造がランダム方向にNWの曲げをなくした層半径方向成長により層を通したGaPシェルに移された。低成長温度は表面偏析を抑制し,インジウムから自由シェルを維持した。GaPシェルにおける株は周期的不整合転位の形成を介して部分的に緩和した。モアレ干渉縞と透過型電子顕微鏡像の高速Fourier変換の分裂の周期から,半径方向と軸方向歪は4.5%と6.2%であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 軸方向 ,  表面偏析 ,  *MBE成長 ,  干渉縞 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  結晶構造 ,  インジウム ,  *リン化インジウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  半径方向 ,  不整合転位 ,  *リン化ガリウム ,  高速Fourier変換
準シソーラス用語： 成長温度 ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： A1の結晶構造 ,  A1ナノ構造 ,  A3有機金属分子ビームエピタクシー ,  A3りん化物 ,  B2半導性ガリウム化合物 ,  B2半導性III-V材料 ,  B2半導体りん化インジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属 ,  分子ビームエピタクシー ,  ウルツ鉱 ,  InP ,  GAP ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  成長