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J-GLOBAL ID：201702254910145304   整理番号：17A1645837

諸性質への先進先駆アプローチと特殊半導体配置における重要なパラメータ【Powered by NICT】

Advanced pioneer approach to various properties and significant parameters in special semiconductor arrangement

著者 (3件)： Mazumdar Kaushik (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (ISM), Dhanbad-826004) ,  Kumar Sachin (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (ISM), Dhanbad-826004) ,  Ghosal Aniruddha (Institute of Radio Physics and Electronics, 92, A.P.C. Road, Kolkata - 700009)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 410-413  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Airy関数定式化を用いて多重障壁系でのポテンシャルエネルギープロファイルの検討を示唆した数値となり,透過係数,反射係数,エネルギーと他のいくつかの本質的な物理的パラメータのような種々の透過特性を半導体配置を通しての内部バイアスの異なる値で解析を導出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 定式化 ,  多重化 ,  *半導体 ,  反射率 ,  バイアス ,  透過率
準シソーラス用語： Airy関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： 性質 ,  パラメータ