文献

J-GLOBAL ID：201702255014262310   整理番号：17A1568865

完全集積化LTE-Advancedバンドスイッチ可能な高利得CMOS電力増幅器【Powered by NICT】

Fully integrated LTE-Advanced band-switchable high-gain CMOS power amplifier

著者 (3件)： Roy Palash (Department of Electrical and Computer Engineering, North Dakota State University, Fargo, ND, USA) ,  Hamidi S. Babak (Department of Electrical and Computer Engineering, North Dakota State University, Fargo, ND, USA) ,  Dawn Debasis (Department of Electrical and Computer Engineering, North Dakota State University, Fargo, ND, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EIT  ページ： 431-435  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,760~960MHz,1.3~1.6GHz,1.7~2.34GHz,2.35~2.81GHz,のための完全集積化マルチバンド高利得CMOS可変同調電力増幅器(PA)を提示し,細胞応用のための33ロングタームエボリューション進行(LTE a)バンドをカバーしている。0.13μm CMOSプロセスを用いて作製した3mm×1.5mm PAチップは34dB/42dB/42dB/40dBの最大利得を持つ21dBm/23 2dBm/21dBm/23dBmのピーク出力パワーを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *利得 ,  *CMOS
準シソーラス用語： LTE【通信】 ,  可変同調 ,  マルチバンド ,  *高利得 ,  *LTE-Advanced , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積化 ,  LTE-Advanced ,  バンド ,  高利得 ,  CMOS ,  電力増幅器