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J-GLOBAL ID：201702255017878034   整理番号：17A1391416

三重O_2アニーリングを組み込んだ高度に安定な原子層堆積酸化亜鉛薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Highly Stable Atomic Layer Deposited Zinc Oxide Thin-Film Transistors Incorporating Triple O₂ Annealing

著者 (7件)： Ye Zhi (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Xu Hua (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Liu Tengfei (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Liu Ni (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Wang Ying (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Zhang Ning (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Liu Yang (College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4114-4122  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップゲート酸化亜鉛薄膜トランジスタを熱原子層堆積により作製した,デバイス安定性を改善するための有効なプロセスステップを詳細に調べた。特に,酸素雰囲気中での三重急速熱アニーリング段階の導入はターン-オン電圧を正の方向に,界面欠陥を減少させると,ゲート漏れ電流を抑制するために提案されている。このようなデバイスは近零ターン-オン電圧と著しく増強された電気的および環境安定性示した。空気雰囲気中において900倍以上掃引反復I_D V_GSはわずか0.08Vは正の低い伝達特性のシフトを生じ,このようなデバイスに負のゲートバイアスストレス試験は優れた安定性性能を示した。さらに,これらのデバイスに基づくリング発振器は,10000s以上に及ぶ非常に安定した連続運転が可能であることを見出し,実際の回路に及ぼすガラス応用のためのデバイスの適合性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  RTA【熱処理】 ,  リング発振器 ,  ターンオン ,  *焼なまし ,  電圧 ,  *酸化亜鉛 ,  負荷試験
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  伝達特性 ,  ゲート漏れ電流 ,  界面欠陥 ,  酸素雰囲気 ,  トップゲート ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 三重 ,  アニーリング ,  原子層堆積 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ